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Dispositifs au silicium, 1. Mod©lisation du transistor bipolaire int©gr©
Paris : Hermès science publ. - DL 2004, cop. 2004.
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Dispositifs au silicium, 1. Mod©lisation du transistor bipolaire int©gr©
Paris : Hermès science publ. - DL 2004, cop. 2004.
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Titre : | Mod©lisation du transistor bipolaire int©gr© |
Titre de série : | Dispositifs au silicium, 1 |
Auteurs : | Philippe Cazenave |
Type de document : | texte imprimé |
Editeur : | Paris : Hermès science publ., DL 2004, cop. 2004. |
Autre Editeur : | [S.l.] : Lavoisier |
Collection : | Trait© EGEM |
Sous-collection : | lectronique et micro-©lectronique. |
ISBN/ISSN/EAN : | 2-7462-0987-X |
Format : | 1 vol. (335 p.) / ill. / 25 cm. |
Langues: | Français |
Index. décimale : | 621.3 |
Catégories : |
Exemplaires
Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
---|---|---|---|---|---|
1427/11/Bi | 621.3 CAZ | Livre | Bibliothèque de l'ENSA | Ouvrage scientifique | Disponible |
1428/11/Bi | 621.3 CAZ | Livre | Bibliothèque de l'ENSA | Ouvrage scientifique | Disponible |
1429/11/Bi | 621.3 CAZ | Livre | Bibliothèque de l'ENSA | Ouvrage scientifique | Disponible |
1430/11/Bi | 621.3 CAZ | Livre | Bibliothèque de l'ENSA | Ouvrage scientifique | Disponible |
1431/11/Bi | 621.3 CAZ | Livre | Bibliothèque de l'ENSA | Ouvrage scientifique | Disponible |